1. Méretpontosság
Síkfelület: az alap felületének síkfelületének nagyon magas színvonalat kell elérnie, és a síkfelületi hiba nem haladhatja meg a ±0,5 μm-t bármely 100 mm × 100 mm-es területen; A teljes alapsíkon a síkfelületi hiba ±1 μm-en belül szabályozható. Ez biztosítja, hogy a félvezető berendezések kulcsfontosságú alkatrészei, például a litográfiai berendezés expozíciós feje és a chipérzékelő berendezés szondaasztala stabilan telepíthetők és nagy pontosságú síkon működtethetők legyenek, biztosítva a berendezés optikai útvonalának és áramköri csatlakozásának pontosságát, és elkerülve az alkatrészek elmozdulását, amelyet az alap egyenetlen síkja okoz, ami befolyásolja a félvezető chip gyártását és az érzékelés pontosságát.
Egyenesség: Az alap minden egyes élének egyenessége kulcsfontosságú. A hosszirányban az egyenességi hiba nem haladhatja meg a ±1 μm-t 1 méterenként; az átlós egyenességi hiba ±1,5 μm-en belül van szabályozva. Nagy pontosságú litográfiai gép példájánál fogva, amikor az asztal az alap vezetősíne mentén mozog, az alap szélének egyenessége közvetlenül befolyásolja az asztal pályapontosságát. Ha az egyenesség nem megfelelő, a litográfiai minta torzul és deformálódik, ami a chipgyártási hozam csökkenéséhez vezet.
Párhuzamosság: Az alap felső és alsó felületének párhuzamossági hibáját ±1 μm-en belül kell szabályozni. A jó párhuzamosság biztosíthatja a teljes súlypont stabilitását a berendezés telepítése után, és az egyes alkatrészek ereje egyenletes. A félvezető ostyagyártó berendezésekben, ha az alap felső és alsó felülete nem párhuzamos, az ostya a feldolgozás során megdől, ami befolyásolja a folyamat egyenletességét, például a maratást és a bevonás, és ezáltal a chip teljesítményének állandóságát.
Másodszor, az anyagjellemzők
Keménység: A gránit alapanyag keménységének el kell érnie a HS70 vagy annál magasabb Shore-keménységet. A nagy keménység hatékonyan ellenáll a berendezés működése során az alkatrészek gyakori mozgása és súrlódása okozta kopásnak, biztosítva, hogy az alap hosszú távú használat után is nagy pontosságú méretet tartson fenn. A chipcsomagoló berendezésben a robotkar gyakran megragadja és az alapra helyezi a chipet, az alap nagy keménysége biztosítja, hogy a felület ne karcolódjon könnyen, és fenntartsa a robotkar mozgásának pontosságát.
Sűrűség: Az anyag sűrűségének 2,6-3,1 g/cm³ között kell lennie. A megfelelő sűrűség jó minőségű stabilitást biztosít az alapnak, ami biztosítja a berendezés megfelelő merevségét, és nem okoz nehézségeket a berendezés telepítése és szállítása során a túlzott súly miatt. Nagy félvezető-vizsgáló berendezésekben az állandó alapsűrűség segít csökkenteni a rezgésátvitelt a berendezés működése során, és javítja az érzékelési pontosságot.
Hőstabilitás: a lineáris tágulási együttható kisebb, mint 5 × 10⁻⁶/℃. A félvezető berendezések nagyon érzékenyek a hőmérsékletváltozásokra, és az alap hőstabilitása közvetlenül összefügg a berendezés pontosságával. A litográfiai folyamat során a hőmérséklet-ingadozások az alap tágulását vagy összehúzódását okozhatják, ami az expozíciós minta méretének eltérését eredményezi. Az alacsony lineáris tágulási együtthatójú gránit alap nagyon kis tartományban szabályozhatja a méretváltozást, amikor a berendezés üzemi hőmérséklete változik (általában 20-30 °C), így biztosítva a litográfiai pontosságot.
Harmadszor, a felület minősége
Érdesség: Az alap felületi érdességének Ra értéke nem haladja meg a 0,05 μm-t. Az ultrasima felület csökkenti a por és szennyeződések adszorpcióját, és mérsékli a félvezető chip gyártási környezetének tisztaságára gyakorolt hatást. A chipgyártás pormentes műhelyében a kis részecskék hibákat, például rövidzárlatot okozhatnak a chipben, az alap sima felülete pedig segít fenntartani a műhely tiszta környezetét és javítja a chiphozamot.
Mikroszkopikus hibák: Az alap felületén nem lehetnek látható repedések, homoklyukak, pórusok és egyéb hibák. Mikroszkopikus szinten az elektronmikroszkópos vizsgálat szerint négyzetcentiméterenként 1 μm-nél nagyobb átmérőjű hibák száma nem haladhatja meg a 3-at. Ezek a hibák befolyásolják az alap szerkezeti szilárdságát és felületének síkságát, majd a berendezés stabilitását és pontosságát.
Negyedszer, stabilitás és ütésállóság
Dinamikus stabilitás: A félvezető berendezések működése által generált szimulált rezgési környezetben (rezgési frekvenciatartomány 10-1000 Hz, amplitúdó 0,01-0,1 mm) a kulcsfontosságú rögzítési pontok rezgési elmozdulását az alapon ±0,05 μm-en belül kell szabályozni. Példaként véve egy félvezető vizsgálóberendezést, ha az eszköz saját rezgése és a környező környezet rezgése működés közben átkerül az alapra, az befolyásolhatja a vizsgálójel pontosságát. A jó dinamikus stabilitás biztosíthatja a megbízható vizsgálati eredményeket.
Szeizmikus ellenállás: Az alapnak kiváló szeizmikus teljesítménnyel kell rendelkeznie, és gyorsan csillapítania kell a rezgési energiát, ha hirtelen külső rezgésnek (például szeizmikus hullám szimulációs rezgésnek) van kitéve, és biztosítania kell, hogy a berendezés kulcsfontosságú alkatrészeinek relatív helyzete ±0,1 μm-en belül változzon. A földrengésveszélyes területeken található félvezetőgyárakban a földrengésálló alapok hatékonyan védhetik a drága félvezető berendezéseket, csökkentve a berendezések károsodásának és a rezgés miatti termelési zavarok kockázatát.
5. Kémiai stabilitás
Korrózióállóság: A gránit alapnak ellen kell állnia a félvezetőgyártási folyamatban használt általános vegyi anyagok, például a hidrogén-fluorid, a királyvíz stb. korróziójának. 40%-os tömegarányú hidrogén-fluorid oldatban 24 órán át áztatás után a felületi minőségromlás mértéke nem haladhatja meg a 0,01%-ot; 12 órán át királyvízben (sósav és salétromsav térfogataránya 3:1) áztatás után a felületen nem láthatók a korrózió nyilvánvaló nyomai. A félvezetőgyártási folyamat különféle kémiai maratási és tisztítási eljárásokat foglal magában, és az alap jó korrózióállósága biztosítja, hogy a kémiai környezetben való hosszú távú használat során ne romoljon, és a pontosság és a szerkezeti integritás megmaradjon.
Szennyezésmentesség: Az alapanyag rendkívül alacsony abszorpciós képességgel rendelkezik a félvezetőgyártási környezetben gyakori szennyező anyagokkal szemben, mint például a szerves gázok, fémionok stb. Ha 72 órán át 10 PPM szerves gázt (pl. benzolt, toluolt) és 1 ppm fémiont (pl. rézionokat, vasionokat) tartalmazó környezetbe helyezzük, a szennyező anyagok alapfelületen történő adszorpciója által okozott teljesítményváltozás elhanyagolható. Ez megakadályozza, hogy a szennyeződések az alapfelületről a chipgyártási területre kerüljenek, és ezáltal befolyásolják a chip minőségét.
Közzététel ideje: 2025. márc. 28.